一、原理：

    磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。磁控濺射鍍膜機(jī)在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場E的作用下zui終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

    二、技術(shù)規(guī)格特點(diǎn)：

    腔體：鋁合金或不銹鋼材料可供客戶選擇，不同尺寸的箱式腔室可選；

    泵：分子泵，冷凝泵可選；

    Load Lock樣品傳輸腔室：手動(dòng)或自動(dòng)傳輸，高真空，支持多種樣品襯底；

    與手套箱兼容；

    工藝控制：PC/PLC機(jī)制的自動(dòng)控制，使用GUI進(jìn)行工藝控制、數(shù)據(jù)處理、遠(yuǎn)程支持；

    原位監(jiān)控：石英晶振監(jiān)測(QCM)，光學(xué)監(jiān)測，殘余氣體分析，其他原位監(jiān)測技術(shù)或控制；

    襯底固定：單襯底固定，多襯底固定，行星式襯底固定，客戶化襯底固定方式；

    襯底夾具：加熱，冷卻，偏置，旋轉(zhuǎn)等；

    離子源：襯底預(yù)先清洗輔助沉積，納米尺度表面修飾；

    磁控濺射沉積技術(shù)：射頻(RF)，直流(DC)，脈沖直流(Pulsed-DC)；

    靜態(tài)濺射，共濺射，反應(yīng)濺射，在線濺射；