深能級瞬態(tài)譜儀是半導體領域研究和檢測半導體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導體P-N結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有*檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS譜。集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。