硅穿孔工藝設(shè)備：硅穿孔(TSV,Through Silicon Via)：通過芯片和芯片之間，晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的新技術(shù)。能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大，芯片之間的互連線最短，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，使目前電子封裝技術(shù)中最引人注目的新技術(shù)。
特點(diǎn)：
1.縮小封裝尺寸。
2.高頻特性出色，減少傳輸延時(shí)的一種技術(shù)。
3.降低芯片功耗，TSV可將硅鍺芯片的功耗降低約40%。
4.熱膨脹可靠性高。

硅穿孔工藝設(shè)備特點(diǎn)：
應(yīng)用范圍：TSV工藝
晶圓尺寸：6英寸，8英寸，12英寸
工藝流程：Insulation, Barrier,Cu seed/fill/Prewet, Anneal
工藝特型：單晶圓面向上濕法工藝
薄膜沉積：Electrografting(eG) and Chemicalgrafting(cG) deposition
反應(yīng)物管路：CDS（ Chemistry Delivery System)
系統(tǒng)參數(shù)：單晶圓腔體工藝（手動(dòng)，半自動(dòng)）
多腔體工藝（自動(dòng)）
--EFEM/FOUP(Robot/Pre-aligner)
--Transfer Robot
--Process cell
--Control unit
--Electric unit
--Chemical supply unit
--CDS